Problema al añadir otros 2x4gb ddr3

Buenas gente, acabo de comprarme otros 2x4gb ram ddr como estos G.Skill Ripjaws X DDR3 1600 PC3-12800 8GB 2x4GB CL9 |PcComponentes
es decir en total ahora tendria 4x4gb, el prblema esta en que en el que meto los modulos y voi a encender hace un amago de arrancar y y sin llegar a la pantalla de la bios se reinicia ( he un compañero parece que tiene un problema similar pero con modulos de 8gb)
Iniciando el pc solo con los 2x4gb viejos tanto solo con los 2x4gb nuevos arranca sin incidencias, el problema parece ser que surge cuando uso 1 o 2 slots mas, es posible que los slots que no habia usado hasta ahora se hallan podido dañar o sera otra la causa del problema?
Si teneis alguna idea me hariais un gran favor

mi actual equipo seria este:

-procesador intel i5 4670 3.40 GHz
-placa Gygabyte GA-H87-HD3
-fuente be quiet system power 7 500w
- Memoria GSKILL Ripjaws X DDR3 1600 2x4GB (las primeras las compre aqui y a menos que este ciego son identicas a las nuevas)
-ssd samsung evo 120gb
-hdd seagate 2tb
-grafica tenia una msi 760 actualmente muerta y estoy con integrada
- disipador Zalman (no recuerdo el modelo)

No se si sevira de algo, pero cuando pongo la ram el los modulos 1y3 y 2y4 arranca sin problemas solo pasa cuando se ponen a la vez

Krion dijo:

No se si sevira de algo, pero cuando pongo la ram el los modulos 1y3 y 2y4 arranca sin problemas solo pasa cuando se ponen a la vez

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Hola.

Se me ocurre poner sólo los módulos antiguos, abrir Aída y mirar todos los parámetros de las mismas, después hacer lo mismo con las nuevas, así sabremos si son iguales.

Antiguamente no pasaba esto, las memorias se ponían a la mínima frecuencia y a las máximas latencias sin problema, pero bueno, todo avanza.

gracias Danyelcm, es la primera vez que uso el aida pero creo que estos son los datos que decias no? los que pongo ahora son los de las ram viejas

[ DIMM2: [ TRIAL VERSION ] ]

Propiedades del módulo de memoria:
Nombre del módulo [ TRIAL VERSION ]
Número de serie Ninguno
Tamaño del módulo 4 GB (2 ranks, 8 banks)
Tipo de módulo [ TRIAL VERSION ]
Tipo de memoria DDR3 SDRAM
Velocidad de la memoria DDR3-1600 (800 MHz)
Ancho del módulo 64 bit
Voltaje del módulo 1.5 V
Método de detección de errores Ninguno
Velocidad de actualización Normal (7.8 us)
Fabricante DRAM G Skill

Tiempos de Memoria:
@ 800 MHz 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-128-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 761 MHz 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-122-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 685 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-110-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-98-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 MHz 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-86-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 MHz 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-74-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)

Extreme Memory Profile v1.2:
Nombre del perfil Enthusiast (Certified)
Velocidad de la memoria DDR3-1600 (800 MHz)
Voltaje 1.50 V
Refresh Period (tREF) 7.9 us
DIMM por canal recomendados 4
@ 800 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-128-2-5-12-6-6-24-7 (RC-RFC-CR-RRD-WR-WTR-RTP-FAW-WCL)

Características del módulo de memoria:
Auto Self Refresh (ASR) Incompatible
DLL-Off Mode Compatible
Extended Temperature Range Compatible
Extended Temperature 1X Refresh Rate Incompatible
Module Thermal Sensor Incompatible
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Incompatible
Partial Array Self Refresh (PASR) Compatible
RZQ/6 Compatible
RZQ/7 Compatible

Fabricante del módulo de memoria:
Nombre de la empresa G.Skill International Enterprise
Información del producto http://gskill.com/en/catalog/desktop-memory


[ DIMM4: [ TRIAL VERSION ] ]

Propiedades del módulo de memoria:
Nombre del módulo [ TRIAL VERSION ]
Número de serie Ninguno
Tamaño del módulo 4 GB (2 ranks, 8 banks)
Tipo de módulo [ TRIAL VERSION ]
Tipo de memoria DDR3 SDRAM
Velocidad de la memoria DDR3-1600 (800 MHz)
Ancho del módulo 64 bit
Voltaje del módulo 1.5 V
Método de detección de errores Ninguno
Velocidad de actualización Normal (7.8 us)
Fabricante DRAM G Skill

Tiempos de Memoria:
@ 800 MHz 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-128-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 761 MHz 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-122-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 685 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-110-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-98-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 MHz 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-86-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 MHz 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-74-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)

Extreme Memory Profile v1.2:
Nombre del perfil Enthusiast (Certified)
Velocidad de la memoria DDR3-1600 (800 MHz)
Voltaje 1.50 V
Refresh Period (tREF) 7.9 us
DIMM por canal recomendados 4
@ 800 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-128-2-5-12-6-6-24-7 (RC-RFC-CR-RRD-WR-WTR-RTP-FAW-WCL)

Características del módulo de memoria:
Auto Self Refresh (ASR) Incompatible
DLL-Off Mode Compatible
Extended Temperature Range Compatible
Extended Temperature 1X Refresh Rate Incompatible
Module Thermal Sensor Incompatible
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Incompatible
Partial Array Self Refresh (PASR) Compatible
RZQ/6 Compatible
RZQ/7 Compatible

Fabricante del módulo de memoria:
Nombre de la empresa G.Skill International Enterprise
Información del producto http://gskill.com/en/catalog/desktop-memory

y esto es de las nuevas

[ DIMM2: [ TRIAL VERSION ] ]

Propiedades del módulo de memoria:
Nombre del módulo [ TRIAL VERSION ]
Número de serie Ninguno
Tamaño del módulo 4 GB (1 rank, 8 banks)
Tipo de módulo [ TRIAL VERSION ]
Tipo de memoria DDR3 SDRAM
Velocidad de la memoria DDR3-1600 (800 MHz)
Ancho del módulo 64 bit
Voltaje del módulo 1.5 V
Método de detección de errores Ninguno
Velocidad de actualización Normal (7.8 us)
Fabricante DRAM G Skill

Tiempos de Memoria:
@ 800 MHz 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-208-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 761 MHz 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-199-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 685 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-179-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-159-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 MHz 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-139-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 MHz 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-119-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)

Extreme Memory Profile v1.2:
Nombre del perfil Enthusiast (Certified)
Velocidad de la memoria DDR3-1600 (800 MHz)
Voltaje 1.50 V
Refresh Period (tREF) 7.9 us
DIMM por canal recomendados 2
@ 800 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-208-2-5-12-6-6-24-7 (RC-RFC-CR-RRD-WR-WTR-RTP-FAW-WCL)

Características del módulo de memoria:
Auto Self Refresh (ASR) Incompatible
DLL-Off Mode Compatible
Extended Temperature Range Compatible
Extended Temperature 1X Refresh Rate Incompatible
Module Thermal Sensor Incompatible
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Incompatible
Partial Array Self Refresh (PASR) Incompatible
RZQ/6 Compatible
RZQ/7 Compatible

Fabricante del módulo de memoria:
Nombre de la empresa G.Skill International Enterprise
Información del producto http://gskill.com/en/catalog/desktop-memory


[ DIMM4: [ TRIAL VERSION ] ]

Propiedades del módulo de memoria:
Nombre del módulo [ TRIAL VERSION ]
Número de serie Ninguno
Tamaño del módulo 4 GB (1 rank, 8 banks)
Tipo de módulo [ TRIAL VERSION ]
Tipo de memoria DDR3 SDRAM
Velocidad de la memoria DDR3-1600 (800 MHz)
Ancho del módulo 64 bit
Voltaje del módulo 1.5 V
Método de detección de errores Ninguno
Velocidad de actualización Normal (7.8 us)
Fabricante DRAM G Skill

Tiempos de Memoria:
@ 800 MHz 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-208-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 761 MHz 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-199-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 685 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-179-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-159-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 MHz 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-139-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 MHz 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-119-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)

Extreme Memory Profile v1.2:
Nombre del perfil Enthusiast (Certified)
Velocidad de la memoria DDR3-1600 (800 MHz)
Voltaje 1.50 V
Refresh Period (tREF) 7.9 us
DIMM por canal recomendados 2
@ 800 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-208-2-5-12-6-6-24-7 (RC-RFC-CR-RRD-WR-WTR-RTP-FAW-WCL)

Características del módulo de memoria:
Auto Self Refresh (ASR) Incompatible
DLL-Off Mode Compatible
Extended Temperature Range Compatible
Extended Temperature 1X Refresh Rate Incompatible
Module Thermal Sensor Incompatible
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Incompatible
Partial Array Self Refresh (PASR) Incompatible
RZQ/6 Compatible
RZQ/7 Compatible

Fabricante del módulo de memoria:
Nombre de la empresa G.Skill International Enterprise
Información del producto http://gskill.com/en/catalog/desktop-memory

Hola Krion

viejas @ 800 MHz 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-128-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
el TRIAL no te dice:

Nombre del módulo [ TRIAL VERSION ]
Número de serie Ninguno
Tamaño del módulo 4 GB (1 rank, 8 banks)
Tipo de módulo [ TRIAL VERSION ]

Qué Aida tienes y qué versión ??

Descarga e instala el Thaiphoon y sacas una captura de una ram vieja y después lo mismo con la nueva. Después salir y desinstala no toques nada más.

yo tengo unas rams de 2008-9 con unas de 2013 y van perfectas.

unas kinstong 1600mhz cl9 (viejas) (2x2gb)

unas gskill 2133mhz cl9 (nuevas) (2x8gb)

y las tengo las 4 trabajando a 2000mhz cl9.

Una amiga me acaba de comentar que esto puede pasar en ocasasiones en las que el disipador esta muy apretado o cuando tiene algun tornillo aflojado, y que en estos casos pueden hacer algo de presion de mas o que hace algo de palanca en la placa, probare eso en cuanto pueda.
Que opinais es una posible causa?

El aida64 baje la ultima version gratuita que vi, y el Thaiphoon le echado un ojo y no tengo ni idea de que hacer con el, la verdad que en esto de la informatica soy bastante novatillo y hay cosas que quiza no me atrva a tocar.

Hola.

Yo el problema que veo si los datos del aida son ciertos, es que unas son de dos railes y las otras de un rail = incompatible.

Lo que quiere decir que en la de dos railes, hay el doble de pastillas de memoria para formar los 4GB/stick. (memorias por dos lados).
Y en las otras de 1 rail, hay la mitad de pastillas de memoria para formar los 4GB/stick. (memorias por un lado).

Consultor dijo:

Hola.

Yo el problema que veo si los datos del aida son ciertos, es que unas son de dos railes y las otras de un rail = incompatible.

Lo que quiere decir que en la de dos railes, hay el doble de pastillas de memoria para formar los 4GB/stick. (memorias por dos lados).
Y en las otras de 1 rail, hay la mitad de pastillas de memoria para formar los 4GB/stick. (memorias por un lado).

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Gracias por el datos Consultor, aunque ya he encontrado la solucion.
Resulta que poniendo los modulos viejos en el 3 y 4 y los nuevos en el 1 y 2 si me los detecta correctamente, en el resto de intentos ponia en juntas en el mismo color las viejas y las nuevas (es decir, nuevas en el negro y viejas en el gris, o viceversa)
Nose cual es la causa de esto pero al menos se soluciono.

Gracias a todos por la ayuda!!!

Krion dijo:

Gracias por el datos Consultor, aunque ya he encontrado la solucion.
Resulta que poniendo los modulos viejos en el 3 y 4 y los nuevos en el 1 y 2 si me los detecta correctamente, en el resto de intentos ponia en juntas en el mismo color las viejas y las nuevas (es decir, nuevas en el negro y viejas en el gris, o viceversa)
Nose cual es la causa de esto pero al menos se soluciono.

Gracias a todos por la ayuda!!!

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Por lo que comentas se los "traga" los 4 módulos combinándolos los de un rail con los de dos, interesante.

Me alegro que lo hayas solucionado.

Un saludo.