Saito_25
Friki informático
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Pues tengo en mi portátil Soporte de producto dos módulos ram: Samsung M471B5173EB0-YK0 - Samsung 4GB DDR3L 4GB DDR3L 1600MHz modulo de memoria y https://www.pccomponentes.com/kingston-valueram-so-dimm-ddr3l-1600-pc3-12800-4gb-cl11
Mi duda viene en que supuestamente corren a 1600MHz, pero en Aida, speccy, etcl., me marcan que la frecuencia es 800MHz. Os adjunto lo que pone Aida.
Campo Valor
Propiedades del módulo de memoria
Nombre del módulo Samsung M471B5173EB0-YK0
Número de serie 96389397h (2543007894)
Fecha de fabricación Semana 7 / 2015
Tamaño del módulo 4 GB (1 rank, 8 banks)
Tipo de módulo SO-DIMM
Tipo de memoria DDR3 SDRAM
Velocidad de la memoria DDR3-1600 (800 MHz)
Ancho del módulo 64 bit
Voltaje del módulo 1.35 V / 1.5 V
Método de detección de errores Ninguno
Velocidad de actualización Normal (7.8 us)
Fabricante DRAM Samsung
Tiempos de Memoria
@ 800 MHz 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-208-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 761 MHz 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-199-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 685 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-179-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-159-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 MHz 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-139-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 MHz 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-119-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 MHz 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-100-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
Características del módulo de memoria
Auto Self Refresh (ASR) Incompatible
DLL-Off Mode Compatible
Extended Temperature Range Compatible
Extended Temperature 1X Refresh Rate Incompatible
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Incompatible
Partial Array Self Refresh (PASR) Incompatible
RZQ/6 Compatible
RZQ/7 Compatible
Fabricante del módulo de memoria
Nombre de la empresa Samsung
Información del producto Samsung Semiconductor Global Official Website
Campo Valor
Propiedades del módulo de memoria
Nombre del módulo Kingston 99U5469-045.A00LF
Número de serie 0915D65Eh (1591088393)
Fecha de fabricación Semana 6 / 2017
Tamaño del módulo 4 GB (1 rank, 8 banks)
Tipo de módulo SO-DIMM
Tipo de memoria DDR3 SDRAM
Velocidad de la memoria DDR3-1600 (800 MHz)
Ancho del módulo 64 bit
Voltaje del módulo 1.35 V / 1.5 V
Método de detección de errores Ninguno
Velocidad de actualización Normal (7.8 us)
Tiempos de Memoria
@ 800 MHz 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-208-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 761 MHz 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-199-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 685 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-179-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-159-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 MHz 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-139-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 MHz 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-119-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 MHz 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-100-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
Características del módulo de memoria
Auto Self Refresh (ASR) Incompatible
DLL-Off Mode Compatible
Extended Temperature Range Compatible
Extended Temperature 1X Refresh Rate Incompatible
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Incompatible
Partial Array Self Refresh (PASR) Compatible
RZQ/6 Compatible
RZQ/7 Compatible
Fabricante del módulo de memoria
Nombre de la empresa Kingston Technology Corporation
Información del producto Object moved
¿Lo que he pensado es que quizás es por el voltaje? ¿O quizás es normal y corren a esa velocidad por algún motivo? Lo del voltaje lo digo porque en Aida me marca 1.35/1.5
Gracias! Espero vuestra ayuda!
Mi duda viene en que supuestamente corren a 1600MHz, pero en Aida, speccy, etcl., me marcan que la frecuencia es 800MHz. Os adjunto lo que pone Aida.
Spoiler
Campo Valor
Propiedades del módulo de memoria
Nombre del módulo Samsung M471B5173EB0-YK0
Número de serie 96389397h (2543007894)
Fecha de fabricación Semana 7 / 2015
Tamaño del módulo 4 GB (1 rank, 8 banks)
Tipo de módulo SO-DIMM
Tipo de memoria DDR3 SDRAM
Velocidad de la memoria DDR3-1600 (800 MHz)
Ancho del módulo 64 bit
Voltaje del módulo 1.35 V / 1.5 V
Método de detección de errores Ninguno
Velocidad de actualización Normal (7.8 us)
Fabricante DRAM Samsung
Tiempos de Memoria
@ 800 MHz 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-208-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 761 MHz 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-199-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 685 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-179-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-159-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 MHz 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-139-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 MHz 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-119-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 MHz 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-100-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
Características del módulo de memoria
Auto Self Refresh (ASR) Incompatible
DLL-Off Mode Compatible
Extended Temperature Range Compatible
Extended Temperature 1X Refresh Rate Incompatible
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Incompatible
Partial Array Self Refresh (PASR) Incompatible
RZQ/6 Compatible
RZQ/7 Compatible
Fabricante del módulo de memoria
Nombre de la empresa Samsung
Información del producto Samsung Semiconductor Global Official Website
Spoiler
Campo Valor
Propiedades del módulo de memoria
Nombre del módulo Kingston 99U5469-045.A00LF
Número de serie 0915D65Eh (1591088393)
Fecha de fabricación Semana 6 / 2017
Tamaño del módulo 4 GB (1 rank, 8 banks)
Tipo de módulo SO-DIMM
Tipo de memoria DDR3 SDRAM
Velocidad de la memoria DDR3-1600 (800 MHz)
Ancho del módulo 64 bit
Voltaje del módulo 1.35 V / 1.5 V
Método de detección de errores Ninguno
Velocidad de actualización Normal (7.8 us)
Tiempos de Memoria
@ 800 MHz 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-208-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 761 MHz 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-199-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 685 MHz 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-179-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-159-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 MHz 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-139-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 MHz 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-119-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 MHz 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-100-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
Características del módulo de memoria
Auto Self Refresh (ASR) Incompatible
DLL-Off Mode Compatible
Extended Temperature Range Compatible
Extended Temperature 1X Refresh Rate Incompatible
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Incompatible
Partial Array Self Refresh (PASR) Compatible
RZQ/6 Compatible
RZQ/7 Compatible
Fabricante del módulo de memoria
Nombre de la empresa Kingston Technology Corporation
Información del producto Object moved
¿Lo que he pensado es que quizás es por el voltaje? ¿O quizás es normal y corren a esa velocidad por algún motivo? Lo del voltaje lo digo porque en Aida me marca 1.35/1.5
Gracias! Espero vuestra ayuda!