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Memoria Ram

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La memoria RAM es un sistema de almacenamiento de datos. RAM significa (Random Access Memory), del inglés Memoria de Acceso Aleatorio, y esta nomenclatura se debe al hecho de que el sistema accede a los datos almacenados de manera no secuencial, a diferencia de otros tipos de memoria. La memoria RAM es volátil, es decir, no aglomera la informacion de manera permanente los datos en ella. Cuando deja de recibir impulsos electricos (se cierra el ordenador), todo lo que fue guardado allí se pierde.


Gracias a la Memoria RAM el sistema es capaz de procesar los datos con mayor rapidez, ya que dispone de espacio para información crucial para el ordenador, que puede ser accedida de manera casi inmediata. A diferencia de otros tipos de almacenamiento, como discos rígidos,CD,DVD,SD...

Para la ejecución de juegos, por ejemplo, una buena cantidad de memoria RAM de alta calidad es esencial, ya que en este tipo de archivos son accedidos todo el tiempo, para que sean cargadas las texturas, modelos, animaciones y otros tipos de datos mostrados a cada instante (Los mapas son cargados directamente del disco duro). Si el procesador depende del acceso al disco rígido o a otro tipo de almacenamiento, la velocidad y velocidad característica de un juego puede verse comprometida. El uso de una memoria ram de mayaor velocidad solo afecta en los forogramas, afectando una media de 1-5 FPS (Fotogramas Por Segundo) en los juegos actuales.

Tipos de memoria RAM


  • SO-DIMM DRR (Small Outline - Dual Line Memory Module Doble Data Rate)
Es un tipo de módulo especialmente diseñado para ordenadores portátiles, por su tamaño y cuenta con 200 pines. son de 2,5v.

  • DIMM DRR (Dual Line Memory Module Doble Data Rate)
Son módulos de memoria ram veteranos, los cuales ya casi ni se usan, son parecidos a los DRR3 acutales en tamaño pero para nada en rendimiento y consuma ya que consumen 2,5V y ofrecen unas velocidades muy reducidas. cuentan con unos 190 pines


  • DIMM DDR2 (Dual Line Memory Module Doble Data Rate version 2)
Son módulos de tamaño reducido en comparacion a los DDR de anterior generacion. con diferentes velocidades, frecuencias y velocidades. Cuentan con 240pines



  • DIMM DDR3 (Dual Line Memory Module Doble Data Rate version 3)
Son módulos de envergadura parecida a los DRR de dos genereciones anteriores, suelen usar disipadores por sus altas temperaturas, cuentan con 240pines igual que la anterior generacion la DRR2. Son las hermanas mayores de las DRR2.



  • GDDR5 (Graphics Doble Data Rate version 5)
Son módulos de memoria ram especialmente diseñados para tarjetas graficas de gama alta acutalmente es la estandar en todas las tarjetas graficas y ya no se usan las GDRR4 para abajo. simplemente es una SDRAM evolucionada.



  • [*=1]Caché
Es una memoria SRAM mucho más rápida, aunque también más cara y voluminosa que la DRAM convencional. Se utiliza como memoria tenporal para agilizar el procesamiento de la CPU ya que es mas rapida que acceder a la RAM de los PCI. Devido a su tamaño reducido (CPU) suelen ser memoryas de poca capacidad, de Kb o Mb. El chache esta formado por 3 nivleres 1L, 2L, 3L cada una con mayor capacidad pero a la vez con menor velocidad.

Latencias

Se denominan latencias de una memoria RAM a los diferentes retardos producidos en el acceso a los distintos componentes de esta última. Estos retardos influyen en el tiempo de acceso de la memoria por parte de la CPU, la cual se miden en nanosegundos.

Tipos de latencias: Existen varios tipos de latencias en las memorias, las mas importantes son las siguientes.



  • [*=2]CL (CAS Latency)
​Indica la cantidad de ciclos que se destinará al intervalo que empieza en el envio de un "comando" de lectura y que finaliza al momento en la que se puede actuar sobre ese pedido, es decir, la memoria está constantemente enviando y reciviendo información hacia o desde el procesador y cada acción de envío de información requiere tiempo el cual esta controlado por esto. La latencia esta definida desde el principio del CAS hasta su final. Cuanto menor sea el tiempo de estos en los ciclos, mayor es el rendimiento de la memoria.




  • [*=2]RAS: (Row Address S.)
Indica el número de ciclos para un retraso de tiempo entre las señales de Strobe de el CAS y el RAS , se utiliza cuando se escribe en la memoria, se lee o se actualiza. Una fila no se va a poder desactivar hasta que no hayan pasado los ciclos correspondientes. Hay que tener cuidado con esto ya que si el valor es muy bajo se pueden corromper los datos.




  • [*=2]RPT (Row Precharge Time)
Establece el número de ciclos necesarios para el RAS para acumular su carga antes de que otra fila pueda ser activada, es decir, el tiempo entre el envio del comando "activo" y la lectura o escritura del siguiente banco de memoria.



  • CR (Command Rate)
Esta función permite seleccionar el tiempo transcurrido entre la afirmación de la señal Selección de Chip hasta el momento en que el controlador de memoria empieza a enviar comandos a la memoria. Cuanto menor sea el valor, antes el controlador de memoria puede enviar comandos a los bancos de memoria activados.


 
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